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CES 2014 : Lexar annonce ses cartes mémoires CFast 2.0, les plus rapides au...

Lexar a profité du CES 2014 pour annoncer ses cartes mémoires CFast 2.0 doublées du lecteur CR1. Il s'agit tout simplement des cartes les plus rapides au monde. Elles se destinent avant tout aux...

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UFS 2.0 : Toshiba paré pour imposer la mémoire ultra rapide dans les mobiles

Profitant du CES 2014, Toshiba a dévoilé ses intentions pour la nouvelle génération de mémoire Flash interne, répondant à la norme UFS 2.0 (Universal Flash Storage 2.0). A la clef des débits de 1,2 Go/s.

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MWC 2014 : SanDisk livre une carte microSD de 128 Go

En empilant les couches de mémoire au sein d’une carte microSD, SanDisk atteint une capacité record de 128 Go.

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IBM veut concurrencer la mémoire flash avec la PCM

IBM vient de présenter un prototype de dispositif de stockage embarquant de la mémoire à changement de phase (PCM pour Phase Changement Memory). Celui-ci surclasse le stockage flash à base de portes...

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Samsung renforce ses capacités de production sur la flash NAND 3D

Alors que SanDisk et Toshiba viennent d’annoncer la création d’une co-entreprise pour la production de mémoire flash NAND « 3D », c’est au tour de Samsung de faire monter en puissance sa production de...

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Des chercheurs impriment une mémoire sur du papier à lettre

Une équipe de scientifiques taiwanais ont développé une méthode pour imprimer une mémoire sur une feuille ordinaire avec une imprimante jet d’encre.

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Attaque contre la DRAM : de la théorie à la pratique

Des chercheurs des laboratoires de Google ont développé une attaque contre les modules de mémoire vive, DDR. Cette faille connue en théorie permet d’inverser les bits et de prendre le contrôle d’un...

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Des memristors à l’assaut des réseaux de neurones

Les technologies mémoires memristors ont été utilisés par des scientifiques pour fabriquer une puce qui reprend les caractéristiques et les interactions des synapses et des neurones.

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Un nouvel iPhone en renfort du marché de la mémoire ?

Le marché de la mémoire, RAM et flash, devrait reprendre des couleurs en seconde partie d’année, du fait d’une demande croissante de la part des terminaux mobiles.

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Avec la STT-MRAM, IBM et Samsung pulvérisent les performances du flash

Des chercheurs d'IBM ont mis au point une mémoire non volatile, très performante et peu consommatrice qui pourrait bien sonner l'arrêt de mort de la flash.

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Attaque Flip Feng Shui : Et les VM du Cloud deviennent poreuses

Des chercheurs ont peaufiné la technique de l’attaque « Rowhammer » visant la mémoire vive des serveurs pour attaquer des machines virtuelles et subtiliser leurs clés de chiffrement. La sécurité du...

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Détecter et résoudre les problèmes de mémoire

Un seul bit vous manque et tout est dépeuplé. Les erreurs mémoire sont courantes et, la plupart du temps, sans conséquences majeures. Mais, dans le cas de traitements lourds et intensif, elles peuvent...

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Pirater un Mac en 30 secondes pour 300 dollars

Encore une méthode pour pirater un Mac en veille ou verrouillé. Un dispositif peut récupérer le mot de passe en quelques secondes.

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La ReRAM se prend pour un processeur

Une équipe de chercheurs a trouvé une méthode pour que la ReRAM effectue des tâches informatiques initialement dévolues aux processeurs.

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Les mémoires DDR5 et NVDIMM-P pour 2018, promet le JEDEC

La mémoire vive DDR5 et la mémoire non volatile NVDIMM-P seront standardisées en 2018 promet le JEDEC.

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La mémoire imprimable pointe le bout de son nez

Des scientifiques ont élaboré une technique pour imprimer une mémoire via une imprimante 3D et des encres à base de nanoparticules. Les débouchés sont nombreux, notamment dans l’IoT.

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Télégrammes : Apple et Amazon partants sur les mémoires de Toshiba, Tintri...

Le lundi de Pentecôte scinde la France en deux, mais tout le monde peut lire les télégrammes du soir.

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Stack Clash s’octroie des privilèges sur les systèmes Linux

Des chercheurs ont découvert une faille dans les systèmes Linux ouvrant la voie à une élévation de privilèges.

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Télégrammes : Emplettes pour Accenture, Nouvelle usine mémoire pour Toshiba,...

Avant de savoir si Neymar jouera ce week-end contre Amiens, il est temps de lire les télégrammes du soir.

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La mémoire 3D Xpoint au coeur des nouveaux SSD Intel Optane 800P au format M.2

Intel lance le SSD grand public Optane 800P au format M.2. Une manière de démocratiser sa mémoire flash 3D XPoint développée avec Micron.

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Samsung V-NAND : la mémoire flash passe à la 3D

Samsung annonce avoir débuté la production de masse de puces de mémoire flash en trois dimensions (3D) avec la 3D V-NAND, une révolution et un véritable virage pour le marché de la mémoire flash.

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ULLtraDIMM : de la mémoire flash dans un module DDR3

Un nouveau type de stockage plaçant la mémoire flash dans un module DRAM a été mis au point pour répondre à des besoins professionnels spécifiques. Baptisé ULLtraDIMM, il se caractérise par un temps de...

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La mémoire Crossbar : un concurrent redoutable pour la flash

Une startup est peut-être sur le point de révolutionner le marché de la mémoire non volatile grâce à sa technologie. Baptisée "mémoire Crossbar", elle pourrait en effet supplanter la mémoire flash dans...

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Mémoire DDR4 : Samsung débute la production de masse

Samsung annonce avoir débuté la production de masse de mémoire DDR4 à destination des serveurs d'entreprise.

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Cisco s’offre Whiptail, mémoire flash pour UCS. Quid d’EMC et NetApp ?

La consolidation dans le stockage flash tourne à pleine vitesse. C'est au tour de Cisco de s'offrir une plateforme flash pour UCS. Mais alors que vont devenir les solutions unifiés construites avec EMC...

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SanDisk optimise sa Flash pour les tablettes Atom Bay Trail

SanDisk vient de lever le voile sur une nouvelle version de sa mémoire flash iNAND Extreme optimisée pour les SoC Atom Bay Trail Z3000 d'Intel, conçus pour des tablettes.

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DRAM « 3D » HMC : la mémoire de Micron prend l’express

Micron vient d'annoncer la livraison des premières puces de mémoire 3D Hybrid Memory Cube HMC. Destinée aux calculs haute performance et aux équipements réseaux, cette DRAM hybride de nouvelle...

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Quiz Silicon.fr – 10 questions sur la mémoire flash

Les puces flash NAND ont changé notre façon de penser le stockage et servi de moteur à la révolution mobile. Que savez-vous de cette technologie ?

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Alliance sur le front de la MRAM afin de supplanter la DRAM

Dire que les jours de la DRAM sont comptés est peut être un brin exagéré. Mais toujours est-il qu'une alliance américano-japonaise vient de se former pour la supplanter par la MRAM.

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HP adopte la mémoire cache Optane d’Intel dans son Pavilion AIO 27

Le Pavilion All-in-One 27 de HP est le premier de son genre à adopter l'Optane, une mémoire cache qui se situe entre la RAM et le SSD et vise à accélérer l'accès aux données.

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HANA : état des lieux de l’offre In Memory de SAP (2)

Seconde partie de notre état des lieux de SAP HANA : revisitons les curriculums fonctionnels et les paradigmes, parlons ERP et BI.

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Nimbus Data : Sustainable Storage, stockage Flash tout compris

Nimbus Data propose un choix radical : le stockage Tier 1 exclusivement basé sur la mémoire et qui embarque d'origine toutes les technologies qui comptent. Un choix des plus performants qui pourrait...

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Mémoire Flash sur carte PCIe : LSI s’y met et administre avec Nytro

Afin de réduire le goulet d'étranglement de l'accès aux données, LSI propose une solution de mise en cache accélérée basée sur de la mémoire Flash sur carte PCIe, avec un logiciel d'administration.

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R&D : la mémoire DDR4 en devenir… dans les serveurs

Le prix, la puissance et la performance énergétique de la mémoire DDR4 devraient lui ouvrir les portes de la mobilité, et surtout des serveurs.

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Mémoire flash : les prix chutent… les revenus chutent

L’IHS iSuppli Mobile & Embedded Market Tracker Report vient confirmer le déclin temporaire du marché des mémoires flash.

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R&D : Toshiba crée la mémoire perpendiculaire STT-MRAM

Avec la magnétisation perpendiculaire de la STT-MRAM, Toshiba réduit la consommation de la MRAM de 90% en dessous de la SRAM.

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Vers une situation d’oligopole dans le secteur de la DRAM

L'acquisition d'Elpida Memory par Micron Technology et le retrait de fabricants taïwanais du secteur de la DRAM pourraient signer une reprise du marché avec des profits pour les différents fabricants.

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La NVDIMM développée par Micron pourrait succéder à la DRAM

Micron désire combiner DRAM et mémoire à portes NAND pour tirer profit de la vitesse de la première et de la non-volatilité de la flash. La société américaine a ainsi fait la démonstration de sa toute...

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Kingston aide les entreprises à équiper leurs serveurs en mémoire vive

Avec KingstonConsult, les entreprises peuvent bénéficier des conseils de Kingston lors du choix de leur mémoire serveur. Une offre unique sur le marché.

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Les premiers pas timides d’EMC dans les cartes flash PCIe

EMC annonce quatre cartes mémoire flash MLC PCIe XtremSF, mais déçoit sur leur capacité.

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Les constructeurs poussent la mémoire flash « 3D » pour accroître les capacités

Alors même que la mémoire flash rencontre ses limites en termes de capacité, plusieurs constructeurs préparent l'avenir avec de la flash "3D", une première puce ayant été annoncée début 2013.

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Des chercheurs suisses mettent au point une nouvelle technologie de mémoire...

Les scientifiques de l'EPFL ont mis au point un prototype de point mémoire flash en combinant les avantages du molybdénite et du graphène. Miniaturisation, flexibilité, performances et consommation...

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Flash MLC 128 Gb : Samsung veut accélérer l’adoption des SSD

Samsung vient de débuter la production de masse de flash NAND MLC 3 bits de 128 Gbit dans sa technologie de classe 10 nm. La porte est ainsi ouverte à des dispositifs de stockage à flash NAND offrant...

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Le graphène franchit le térahertz et les mémoires très denses

En alliant le graphène à d'autres matériaux, des chercheurs ont mis au point un tout nouveau dispositif opto-électronique.

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Samsung domine le marché de la mémoire flash début 2013

Dans un contexte de croissance pour le secteur de la mémoire flash, Samsung a nettement tenu le haut du pavé au premier trimestre 2013 avec 38,4% de parts de marché.

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La mémoire ré-inscriptible à oxyde de silicium se concrétise

Des chercheurs de l'université de Rice ont développé une puce embarquant de la mémoire à oxyde de silicium, un procédé actuellement testé à bord de l'ISS.

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Samsung : première puce mémoire mobile LPDDR3 de 3 Go

Samsung annonce que la production de puces mémoire mobile LPDDR3 de 3 Go vient de débuter, une capacité amenée à devenir rapidement la norme dans les smartphones haut de gamme.

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Hynix : bénéfice en forte hausse grâce à la DRAM

SK Hynix Semiconductors annonce un bénéfice net record pour le trimestre qui s'est terminé le 30 juin 2013.

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Mémoire mobile Samsung eMMC Pro 5.0 flashée à 250 Mo/s

Samsung annonce la mémoire de type eMMC la plus rapide du marché pour les appareils mobiles de prochaine génération.

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Cesser d’abuser verbalement ou physiquement de votre ordinateur !

Oppressé par ses lenteurs, la présence de malwares ou une fausse manoeuvre, plus d'un tiers d'entre nous abuse verbalement ou physiquement de leur ordinateur...

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